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wenzhang:1410:wangkf

利用霍尔效应研究热退火对黑硅材料电学性质的影响

王科范; 刘平安
( 河南大学微系统物理研究所; 河南大学普通物理实验教学中心 )

  摘 要: 利用霍尔效应测量了不同温度热退火后的黑硅的霍尔系数、载流子浓度、载流子迁移率和电导率.随着热退火温度的升高,黑硅内载流子的浓度缓慢下降,载流子迁移率却同步增加,这说明黑硅内载流子散射的主要形式是电离杂质散射.
  关键词: 黑硅; 霍尔效应; 载流子浓度; 迁移率
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wenzhang/1410/wangkf.txt · 最后更改: 2016/04/15 19:48 由 guoweilw