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wenzhang:1510:zhuy

MoS2/ZnO异质结的光电特性

朱芸; 米文俊; 马金楼; 王强; 马锡英;
( 苏州科技学院数理学院; )

  摘 要: 采用化学气相沉积法在Si衬底上先后沉积了Ag掺杂的MoS2薄膜和Ag掺杂的ZnO薄膜,形成MoS2/ZnO异质结.研究了薄膜的表面形貌、晶体结构、光吸收特性和电学特性,对比分析了MoS2/ZnO异质结的光吸收特性和有无光照下的I-V特性,并对其导电机理进行了研究.实验结果表明:MoS2和ZnO薄膜表面均匀平整,结晶度较好;Ag掺杂的MoS2和Ag掺杂的ZnO的薄膜具有较高的电子迁移率,分别为1.57×103 cm2/(V·s)和6.17×103 cm2/(V·s);MoS2/ZnO异质结具有较好的整流效应和光电响应特性.
  关键词: MoS2/ZnO异质结; 化学气相沉积; 能带结构; 光电特性; 迁移率;
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wenzhang/1510/zhuy.txt · 最后更改: 2016/02/22 22:12 由 guoweilw